Антава

IXYS

Транзистор MMIX1X200N60B3H1

Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
72 A
Рассеиваемая мощность
520 W
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1X200N60B3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current72 A
Рассеиваемая мощность520 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1kA
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge315nC
Kind of packagetube
Turn-on time140ns
Turn-off time395ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD

Документация

Документ производителя