Антава

IXYS

Транзистор MMIX1X100N60B3H1

Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
68 A
Рассеиваемая мощность
400 W
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1X100N60B3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current68 A
Рассеиваемая мощность400 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current440 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Turn-on time92s
Turn-off time350ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD

Документация

Документ производителя