Антава

IXYS

Транзистор MMIX1T550N055T2

MMIX1T550N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, TrenchT2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
550 A
Pulsed drain current
2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%8 612,78 ₽

Сумма · с НДС 22%8 612,78 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18 612,78 ₽
от 37 616,50 ₽
от 106 849,44 ₽
от 206 376,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMIX1T550N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, TrenchT2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current550 A
Pulsed drain current2kA
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge595nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W

Документация

Документы пока не предоставлены.