Антава

IXYS

Транзистор MMIX1T500N20X4-TU

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
200 V
Drain current
480 A
Рассеиваемая мощность
1.1 kW
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1T500N20X4-TU
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage200 V
Drain current480 A
Рассеиваемая мощность1.1 kW
КорпусSMPD
Gate-source voltage20 V
On-state resistance1.99 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 200V; 480A; 1.1kW; SMPD

Документация

Документы пока не предоставлены.