IXYS

Тиристор MMIX1H60N150V1

SMPDИзображение корпуса

Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.5 kV
Корпус: SMPD
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode, MOS-gated thyristor (MGT)

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Артикул производителя	MMIX1H60N150V1
Производитель	IXYS
Type of thyristor	standard
Max. off-state voltage	1.5 kV
Корпус	SMPD
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. forward impulse current	32kA
Features of semiconductor devices	freewheelling diode, MOS-gated thyristor (MGT)

Исходное описание поставщика

Thyristor: standard; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA