Антава

IXYS

Транзистор MMIX1G320N60B3

Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
180 A
Power dissipation
1 kW
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1G320N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, GenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current180 A
Power dissipation1 kW
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1kA
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge585nC
Kind of packagetube
Turn-on time107ns
Turn-off time595ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD

Документация

Документ производителя