Антава

IXYS

Транзистор MMIX1G120N120A3V1

Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
105 A
Рассеиваемая мощность
400 W
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1G120N120A3V1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, GenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current105 A
Рассеиваемая мощность400 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current700 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge420nC
Kind of packagetube
Turn-on time105ns
Turn-off time1365ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD

Документация

Документ производителя