Антава

IXYS

Транзистор MMIX1F520N075T2

MMIX1F520N075T2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
500 A
Рассеиваемая мощность
830 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1F520N075T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current500 A
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge545nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD

Документация

Документ производителя