Антава

IXYS

Транзистор MMIX1F420N10T

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
334 A
Pulsed drain current
1kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1F420N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current334 A
Pulsed drain current1kA
Рассеиваемая мощность680 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge670nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time140ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W

Документация

Документы пока не предоставлены.