Антава

IXYS

Транзистор MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
108 A
Pulsed drain current
550 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMIX1F210N30P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current108 A
Pulsed drain current550 A
Power dissipation520 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge268nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W

Документация

Документы пока не предоставлены.