Антава

IXYS

Транзистор MMIX1F180N25T

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
132 A
Pulsed drain current
500 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1F180N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current132 A
Pulsed drain current500 A
Рассеиваемая мощность570 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge364nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 250V; 132A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.