Антава

IXYS

Транзистор MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
102 A
Pulsed drain current
440 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%8 666,31 ₽

Сумма · с НДС 22%8 666,31 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18 666,31 ₽
от 37 663,89 ₽
от 106 881,52 ₽
от 206 426,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMIX1F160N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current102 A
Pulsed drain current440 A
Power dissipation570 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge367nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A

Документация

Документы пока не предоставлены.