IXYS
Транзистор MMIX1F132N50P3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HiPerFET™, Polar3™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 63 A
- Pulsed drain current
- 330 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%9 377,78 ₽
Сумма · с НДС 22%9 377,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 9 377,78 ₽ | |
| от 3 | 8 293,17 ₽ | |
| от 10 | 7 446,00 ₽ | |
| от 20 | 6 950,23 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MMIX1F132N50P3 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HiPerFET™, Polar3™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 63 A |
| Pulsed drain current | 330 A |
| Power dissipation | 520 W |
| Корпус | SMPD |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 43 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 267nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 250ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.