Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Комплектующее MMBZ9V1ALYT116

MMBZ9V1ALYT116
Max. forward impulse current
1.7 A
Peak pulse power dissipation
24 W
Semiconductor structure
bidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
6 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 083 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%19,87 ₽

Сумма · с НДС 22%13 471,86 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 67819,87 ₽
от 100018,37 ₽
от 400017,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ9V1ALYT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.7 A
Peak pulse power dissipation24 W
Semiconductor structurebidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage6 V
Leakage current0.1 µA
Количество каналов2
Ёмкость0.12 nF
Исходное описание поставщика

1.7A; 0.024kW; bidirectional; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.