Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Комплектующее MMBZ9V1ALYFHT116

MMBZ9V1ALYFHT116
Max. forward impulse current
1.7 A
Peak pulse power dissipation
24 W
Semiconductor structure
common anode, unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
6 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 529 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%20,15 ₽

Сумма · с НДС 22%12 875,85 ₽

От 639 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 63920,15 ₽
от 100018,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ9V1ALYFHT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.7 A
Peak pulse power dissipation24 W
Semiconductor structurecommon anode, unidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage6 V
Leakage current0.1 µA
Количество каналов2
Ёмкость0.12 nF
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

1.7A; 0.024kW; unidirectional,common anode; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.