Антава

ONSEMI

Диод MMBZ9V1ALT1G

MMBZ9V1ALT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
9.1 V
Max. forward impulse current
1.7 A
Peak pulse power dissipation
24 W
Semiconductor structure
common anode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBZ9V1ALT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage9.1 V
Max. forward impulse current1.7 A
Peak pulse power dissipation24 W
Semiconductor structurecommon anode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage6 V
Leakage current0.3 µA
Количество каналов2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 9.1V; 1.7A; 24W; double,common anode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителя