Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Комплектующее MMBZ36VALYFHT116

MMBZ36VALYFHT116
Max. forward impulse current
780 mA
Peak pulse power dissipation
40 W
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
28 V
Leakage current
5nA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 990 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%20,62 ₽

Сумма · с НДС 22%12 887,50 ₽

От 625 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62520,62 ₽
от 100019,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ36VALYFHT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current780 mA
Peak pulse power dissipation40 W
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage28 V
Leakage current5nA
Количество каналов2
Ёмкость32 pF
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

780mA; 0.04kW; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.