Антава

ONSEMI

Диод MMBZ33VAWT1G

Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
33 V
Max. forward impulse current
0.87 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, double
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBZ33VAWT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage33 V
Max. forward impulse current0.87 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, double
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSC70
Max. off-state voltage26 V
Number of channels2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SC70; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.