Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

MMBZ33VALYT116

MMBZ33VALYT116
Max. forward impulse current
0.87A
Peak pulse power dissipation
40W
Semiconductor structure
common anode, unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
26V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ33VALYT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current0.87A
Peak pulse power dissipation40W
Semiconductor structurecommon anode, unidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage26V
Leakage current5nA
Number of channels2
Ёмкость34pF
Исходное описание поставщика

870mA; 0.04kW; unidirectional,common anode; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.