Антава

ONSEMI

Диод MMBZ33VALT1G

MMBZ33VALT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
33 V
Max. forward impulse current
0.87 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ33VALT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage33 V
Max. forward impulse current0.87 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage26 V
Leakage current50nA
Number of channels2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителя