Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Электронный компонент MMBZ30VALT116

MMBZ30VALT116
Breakdown voltage
28.5 V
Max. forward impulse current
950 mA
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 864 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%9,21 ₽

Сумма · с НДС 22%8 675,82 ₽

От 942 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 9429,21 ₽
от 10007,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ30VALT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Breakdown voltage28.5 V
Max. forward impulse current950 mA
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structureunidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage24 V
Ёмкость38 pF
Рабочая температура-55...150 °C
Исходное описание поставщика

28.5V; 950mA; 0.04kW; unidirectional; SOT23-3; -55÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.