Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Комплектующее MMBZ24VALYFHT116

MMBZ24VALYFHT116
Max. forward impulse current
1.25 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%20,28 ₽

Сумма · с НДС 22%12 675,00 ₽

От 625 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62520,28 ₽
от 100018,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ24VALYFHT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.25 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, unidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage20 V
Leakage current5nA
Количество каналов2
Ёмкость46 pF
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

1.25A; 0.04kW; unidirectional,common anode; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.