Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Электронный компонент MMBZ20VALYFHT116

MMBZ20VALYFHT116
Max. forward impulse current
1.4 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
17 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 700 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%20,89 ₽

Сумма · с НДС 22%13 056,25 ₽

От 625 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62520,89 ₽
от 100019,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ20VALYFHT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.4 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, unidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage17 V
Leakage current5nA
Number of channels2
Ёмкость55 pF
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

1.4A; 0.04kW; unidirectional,common anode; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.