Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

MMBZ18VALYT116

MMBZ18VALYT116
Max. forward impulse current
1.6 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
bidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
14.5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ18VALYT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.6 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurebidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage14.5 V
Leakage current5nA
Number of channels2
Ёмкость60 pF
Исходное описание поставщика

1.6A; 0.04kW; bidirectional; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.