Антава

ONSEMI

Диод MMBZ18VALT1G

MMBZ18VALT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
18 V
Max. forward impulse current
1.6 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 32 897 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%32,46 ₽

Сумма · с НДС 22%32,46 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 132,46 ₽
от 1018,33 ₽
от 5012,98 ₽
от 10011,34 ₽
от 2509,51 ₽
от 5008,48 ₽
от 10007,92 ₽
от 30007,12 ₽
от 60006,72 ₽
от 90006,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ18VALT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage18 V
Max. forward impulse current1.6 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage14.5 V
Leakage current50nA
Number of channels2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителя