Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Электронный компонент MMBZ16VALYFHT116

MMBZ16VALYFHT116
Max. forward impulse current
1.7 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT23-3
Max. off-state voltage
13 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%21,19 ₽

Сумма · с НДС 22%13 243,75 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62521,19 ₽
от 100019,84 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ16VALYFHT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current1.7 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, unidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23-3
Max. off-state voltage13 V
Leakage current5nA
Number of channels2
Ёмкость70 pF
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

1.7A; 0.04kW; unidirectional,common anode; SOT23-3; Ch: 2

Документация

Документы пока не предоставлены.