Антава

ONSEMI

Диод MMBZ16VALT1G

MMBZ16VALT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
16 V
Max. forward impulse current
1.7 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBZ16VALT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage16 V
Max. forward impulse current1.7 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage13 V
Leakage current50nA
Number of channels2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 16V; 1.7A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителя