Антава

ONSEMI

Диод MMBZ15VDLT1G

MMBZ15VDLT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
15 V
Max. forward impulse current
1.9 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common cathode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ15VDLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage15 V
Max. forward impulse current1.9 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon cathode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage12.8 V
Leakage current0.1 µA
Number of channels2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common cathode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителя