Антава

ONSEMI

Диод MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
12 V
Max. forward impulse current
2.35 A
Peak pulse power dissipation
40 W
Semiconductor structure
common anode, double
Version
ESD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 733 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%45,80 ₽

Сумма · с НДС 22%45,80 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 145,80 ₽
от 537,74 ₽
от 1032,06 ₽
от 10015,90 ₽
от 50010,44 ₽
от 10009,14 ₽
от 30007,80 ₽
от 90007,05 ₽
от 120006,93 ₽
от 300006,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBZ12VALT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage12 V
Max. forward impulse current2.35 A
Peak pulse power dissipation40 W
Semiconductor structurecommon anode, double
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT23
Max. off-state voltage8.5 V
Leakage current0.2 µA
Количество каналов2
Допуск±5%
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23

Документация

Документ производителяДокумент производителя