ONSEMI

Транзистор MMBTH10M3T5G

Фото уточняется

Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.64W
Корпус: SOT723

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	MMBTH10M3T5G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	NPN
Polarisation	bipolar
Kind of transistor	RF
Collector-emitter voltage	25V
Power dissipation	0.64W
Корпус	SOT723
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Frequency	650MHz

Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.64W; SOT723

Документация

Документы пока не предоставлены.