Антава

ONSEMI

Транзистор MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
RF
Collector-emitter voltage
25 V
Power dissipation
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBTH10LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorRF
Collector-emitter voltage25 V
Power dissipation0.225/0.3 W
КорпусSOT23
Current gain60...240
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота650 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.