Антава

ONSEMI

Транзистор MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
RF
Collector-emitter voltage
25 V
Power dissipation
0.3 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBTH10-4LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorRF
Collector-emitter voltage25 V
Power dissipation0.3 W
КорпусSOT23
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота800 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.