Антава

ONSEMI

Транзистор MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
30 V
Collector current
0.3 A
Рассеиваемая мощность
0.225 W
Корпус
SOT23-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 90 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3,61 ₽

Сумма · с НДС 22%108 300,00 ₽

От 30000 шт. · шаг 10000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300003,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBTA13LT3G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage30 V
Collector current0.3 A
Рассеиваемая мощность0.225 W
КорпусSOT23-3
МонтажSMD — поверхностный
Частота125 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 30V; 300mA; 225mW; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.