Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT6429LT1G

MMBT6429LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
45 V
Collector current
0.2 A
Рассеиваемая мощность
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 663 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%35,02 ₽

Сумма · с НДС 22%35,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 135,02 ₽
от 1020,46 ₽
от 10011,02 ₽
от 5007,72 ₽
от 10006,78 ₽
от 30005,71 ₽
от 60005,22 ₽
от 90004,99 ₽
от 300004,46 ₽
от 450004,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBT6429LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage45 V
Collector current0.2 A
Рассеиваемая мощность0.225/0.3 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain500...1250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота700 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя