Антава

PANJIT

Транзистор MMBT5551W_R1_00701

MMBT5551W_R1_00701
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
0.6 A
Рассеиваемая мощность
0.2 W
Корпус
SOT323

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMMBT5551W_R1_00701
ПроизводительPANJIT
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current0.6 A
Рассеиваемая мощность0.2 W
КорпусSOT323
Current gain30...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота300 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.