Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор MMBT5551Q-7

MMBT5551Q-7
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
0.6 A
Power dissipation
0.3 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBT5551Q-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current0.6 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSOT23
Current gain30...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота100...300 MHz
Applicationautomotive industry
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.