Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
0.6 A
Power dissipation
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMBT5551LT3G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current0.6 A
Power dissipation0.225/0.3 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain80...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB

Документация

Документы пока не предоставлены.