Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
0.6 A
Рассеиваемая мощность
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 35 723 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%30,06 ₽

Сумма · с НДС 22%30,06 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 130,06 ₽
от 1020,48 ₽
от 5014,24 ₽
от 10012,12 ₽
от 2509,86 ₽
от 5008,47 ₽
от 10007,33 ₽
от 15006,72 ₽
от 30005,86 ₽
от 60005,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBT5551LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current0.6 A
Рассеиваемая мощность0.225/0.3 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain80...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB

Документация

Документы пока не предоставлены.