Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT5550LT3G

MMBT5550LT3G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
140 V
Collector current
0.6 A
Power dissipation
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBT5550LT3G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage140 V
Collector current0.6 A
Power dissipation0.225 W
КорпусSOT23
Current gain60 A
МонтажSMD — поверхностный
Applicationuniversal
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 140V; 600mA; 225mW; SOT23; universal

Документация

Документы пока не предоставлены.