Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
140 V
Collector current
0.6 A
Power dissipation
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 190 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%28,49 ₽

Сумма · с НДС 22%28,49 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 128,49 ₽
от 1018,99 ₽
от 5013,22 ₽
от 10011,19 ₽
от 2009,42 ₽
от 5007,45 ₽
от 10006,19 ₽
от 15005,51 ₽
от 30004,52 ₽
от 60003,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBT5550LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage140 V
Collector current0.6 A
Power dissipation0.225/0.3 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain60...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB

Документация

Документы пока не предоставлены.