Антава

ONSEMI

Транзистор MMBT5089LT1G

MMBT5089LT1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
25 V
Collector current
50 mA
Рассеиваемая мощность
0.225/0.3 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 776 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%38,47 ₽

Сумма · с НДС 22%38,47 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 138,47 ₽
от 529,68 ₽
от 1025,65 ₽
от 5018,03 ₽
от 10015,43 ₽
от 25012,59 ₽
от 50010,85 ₽
от 10009,38 ₽
от 30007,51 ₽
от 60006,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBT5089LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage25 V
Collector current50 mA
Рассеиваемая мощность0.225/0.3 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain400...1200
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота50 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителяДокумент производителя