ONSEMI
Транзистор MMBT5088LT1G
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 30 V
- Collector current
- 50 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.225/0.3 W
- Корпус
- SOT23, TO236AB
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 105 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%35,03 ₽
Сумма · с НДС 22%35,03 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 35,03 ₽ | |
| от 10 | 21,94 ₽ | |
| от 100 | 13,74 ₽ | |
| от 500 | 10,05 ₽ | |
| от 1000 | 8,80 ₽ | |
| от 3000 | 7,15 ₽ | |
| от 6000 | 6,31 ₽ | |
| от 9000 | 5,86 ₽ | |
| от 12000 | 5,59 ₽ | |
| от 30000 | 4,81 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MMBT5088LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 30 V |
| Collector current | 50 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.225/0.3 W |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Current gain | 300...900 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 50 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.