Антава

ONSEMI

Транзистор MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G
Type of transistor
N-JFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
30 mA
Рассеиваемая мощность
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 373 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%41,51 ₽

Сумма · с НДС 22%41,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 141,51 ₽
от 535,01 ₽
от 1030,14 ₽
от 2523,82 ₽
от 5020,03 ₽
от 10019,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBFJ309LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current30 mA
Рассеиваемая мощность0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage-25 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Gate current10 mA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA

Документация

Документ производителя