ONSEMI
Транзистор MMBFJ201
- Type of transistor
- N-JFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain current
- 200 µA
- Рассеиваемая мощность
- 0.35 W
- Корпус
- SOT23
- Gate-source voltage
- -40 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 875 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%93,92 ₽
Сумма · с НДС 22%93,92 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 93,92 ₽ | |
| от 10 | 62,36 ₽ | |
| от 25 | 50,34 ₽ | |
| от 50 | 43,02 ₽ | |
| от 100 | 37,19 ₽ | |
| от 250 | 31,37 ₽ | |
| от 500 | 27,99 ₽ | |
| от 1000 | 25,55 ₽ | |
| от 1500 | 24,23 ₽ | |
| от 3000 | 22,73 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MMBFJ201 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-JFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 200 µA |
| Рассеиваемая мощность | 0.35 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | -40 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Gate current | 50 mA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.