Антава

ONSEMI

Транзистор MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G
Type of transistor
P-JFET
Polarisation
unipolar
Drain current
1.5 mA
Power dissipation
0.225 W
Корпус
SOT23
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 975 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%100,67 ₽

Сумма · с НДС 22%100,67 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1100,67 ₽
от 575,98 ₽
от 1064,96 ₽
от 5045,97 ₽
от 10040,08 ₽
от 25033,81 ₽
от 50030,20 ₽
от 100027,35 ₽
от 150026,02 ₽
от 300023,93 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBFJ177LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-JFET
Polarisationunipolar
Drain current1.5 mA
Power dissipation0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage30 V
On-state resistance300 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Gate current50 mA
Исходное описание поставщика

Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA

Документация

Документ производителя