ONSEMI
Транзистор MMBFJ113
Фото недоступно- Type of transistor
- N-JFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain current
- 2mA
- Power dissipation
- 0.35W
- Корпус
- SOT23
- Gate-source voltage
- -35V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MMBFJ113 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-JFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 2mA |
| Power dissipation | 0.35W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | -35V |
| On-state resistance | 100Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Gate current | 50mA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.