Антава

ONSEMI

Транзистор MMBFJ111

MMBFJ111
Type of transistor
N-JFET
Polarisation
unipolar
Drain current
20 mA
Power dissipation
0.35 W
Корпус
SOT23
Gate-source voltage
-35 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBFJ111
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET
Polarisationunipolar
Drain current20 mA
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage-35 V
On-state resistance30 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Gate current50 mA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA

Документация

Документ производителя