Антава

ONSEMI

Транзистор MMBFJ110

MMBFJ110
Type of transistor
N-JFET
Polarisation
unipolar
Drain current
10 mA
Power dissipation
0.46 W
Корпус
SOT23
Gate-source voltage
-25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMMBFJ110
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET
Polarisationunipolar
Drain current10 mA
Power dissipation0.46 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage-25 V
On-state resistance18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Gate current10 mA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA

Документация

Документы пока не предоставлены.