ONSEMI
Транзистор MMBF4391LT1G
- Type of transistor
- N-JFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 50 mA
- Power dissipation
- 0.225 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 862 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%97,38 ₽
Сумма · с НДС 22%97,38 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 97,38 ₽ | |
| от 5 | 71,79 ₽ | |
| от 10 | 61,67 ₽ | |
| от 50 | 43,73 ₽ | |
| от 100 | 37,81 ₽ | |
| от 500 | 27,50 ₽ | |
| от 1000 | 24,44 ₽ | |
| от 3000 | 23,29 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | MMBF4391LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-JFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 50 mA |
| Power dissipation | 0.225 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | -30 V |
| On-state resistance | 30 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Gate current | 50 mA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.