Антава

ONSEMI

Транзистор MMBF170LT1G

MMBF170LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.5 A
Рассеиваемая мощность
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 026 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%48,73 ₽

Сумма · с НДС 22%48,73 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 148,73 ₽
от 1035,38 ₽
от 5023,90 ₽
от 10019,33 ₽
от 25014,96 ₽
от 50013,86 ₽
от 100012,54 ₽
от 150011,77 ₽
от 300010,49 ₽
от 60009,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMBF170LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.5 A
Рассеиваемая мощность0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23

Документация

Документ производителя